Модуль памяти Qumo DDR3 SODIMM 4GB PC3-12800, 1600MHz QUM3S-4G1600K11L

Артикул:

QUM3S-4G1600K11L

Модуль памяти Qumo DDR3 SODIMM 4GB PC3-12800, 1600MHz QUM3S-4G1600K11L QUM3S-4G1600K11L
Тип: оперативная память
Гарантия: 120 мес.
Напряжение питания: 1.35 В
Тип памяти: DDR3L
Страна-производитель: Китай
Частота: 1600 МГц
Объем одного модуля: 4 ГБ
Количество модулей в комплекте: 1 шт
RAS to CAS Delay (tRCD): 11
Суммарный объем памяти всего комплекта: 4 ГБ
CAS Latency (CL) : 11
Row Precharge Delay (tRP) : 11
Activate to Precharge Delay (tRAS) : 30
Количество чипов модуля: 16
Двухсторонняя установка чипов: Есть
Под заказ
Цена по запросу

QUM3S-4G1600K11L QUMO Оперативная память SODIMM QUMO [QUM3S-4G1600K11L] 4 ГБ выполнена в форм-факторе SODIMM DDR3L, что обеспечило ее миниатюрные габариты и возможность подключения к свободному слоту на материнской плате ноутбука. Такая планка с объемом памяти 4 ГБ характеризуется пропускной способностью PC12800, а наибольшая тактовая частота ее работы составляет 1600 МГц. Поддерживаются также режимы работы 800, 1066, 1333 МГц. Напряжение питания, на которое рассчитана данная планка - 1.35 В.
Рассчитанная на работу при пониженном напряжении память SODIMM QUMO [QUM3S-4G1600K11L] имеет тайминги 11-11-11-30 и отличается простотой установки. На зеленом текстолите, который является основой данного модуля ОЗУ, расположены чипы памяти, общее число которых равняется 16. Чипы располагаются с обеих сторон планки. Упаковкой для изделия послужил прозрачный пластиковый блистер, снабженный клипсой для подвешивания.